삼성전자, Arm과 협력 확대…“GAA 공정기술 고도화”
GAA, 반도체 초미세화 한계 극복…속도·효율 향상
신개념 트랜지스터로 전류 제어…소비전력↓
“맞춤형 반도체 위한 2나노 GAA 등 개발 박차”

[앵커]
삼성전자가 글로벌 반도체 설계 자산 기업 Arm과 협력을 강화합니다. 차세대 반도체 개발에 소요되는 시간과 비용을 줄이기 위해서 인데요. 삼성은 2나노 게이트 올 어라운드(GAA)와 미래 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보인다는 계획입니다. 윤혜림 기잡니다.
[기자]
삼성전자 파운드리 사업부가 글로벌 반도체 설계 자산(IP) 기업 Arm의 차세대 시스템온칩(SoC) 설계 자산을 최첨단 GAA(Gate-All-Around) 공정에 최적화합니다.
GAA는 반도체 회로가 미세해지면서 동반되는 발열과 같은 트랜지스터 성능 저하를 극복해줄 차세대 기술입니다.
반도체 칩은 세대를 거듭할수록 점점 작아지면서 반도체를 구성하는 트랜지스터도 함께 작아지고 있습니다.
이때 누설 전류가 발생하게 되는데, 삼성전자는 전류가 흐르는 4개면을 게이트가 둘러싸는 방식의 신개념 트랜지스터로 한계를 극복했습니다.
쉽게 말해 수도꼭지 4개가 한꺼번에 달린 것처럼 전류를 쉽게 제어할 수 있어, 속도는 빠르게 구현하면서도 소비전력은 줄일 수 있는 겁니다.
삼성전자는 Arm과 협력해 팹리스(반도체 설계) 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발에 소요되는 시간과 비용을 최소화한다는 계획입니다.
실제 이번 협력은 팹리스 기업에게 적기에 제품을 제공하면서도 우수한 소비전력·성능·면적(PPA)을 구현하는데 초점이 맞춰졌습니다.
양사는 이를 위해 협력 초기부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 설계 기술 공동최적화(DTCO·Design-Technology Co-Optimization)를 채택해 Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정 PPA 개선 효과를 극대화한다는 복안입니다.
삼성전자는 차세대 데이터센터와 인프라 맞춤형 반도체를 위한 2나노 GAA, 생성형 AI 모바일 컴퓨팅 시장을 겨냥한 획기적인 AI 칩렛 솔루션을 순차적으로 선보인다는 계획입니다.
서울경제TV 윤혜림입니다. /grace_rim@sedaily.com
[영상편집 유연서]
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